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Arseniuro de galio-aluminio



Arseniuro de galio-aluminio
Nombre IUPAC Arseniuro de galio-aluminio
Otros nombres xxx, xxx
Fórmula molecular XxXxXx
Masa molar xx.xx g/mol
Número CAS [xx-xx-xx]
Densidad x.xxx g/cm³
Solubilidad (en agua) x.xx g/l
Punto de fusión xx.x °C
Punto de ebullición xx.x °C
Disclaimer and references

El Arseniuro de galio-aluminio (AlxGa1-xAs) es un material semiconductor con un parámetro de red muy similar al del GaAs, pero con un ancho de banda prohibida mayor. La x en la fórmula anterior es un número entre 0 y 1 - lo cual indica la proporción entre el GaAs y el AlAs.

El ancho del gap oscila entre 1.42 eV (GaAs) y 2.16 eV (AlAs). Para x < 0.4 obtendremos un semiconductor directo.

La fórmula AlGaAs es una abreviación de la anterior, y no representa ninguna proporción en concreto.

El arseniuro de galio-aluminio se usa como material de barrera en las heteroestructuras de GaAs. Esta capa concentra los electrones en una zona compuesta por arseniuro de galio. Un ejemplo de uso de estas estructuras es en los fotodetectores infrarrojos de pozos cuánticos (QWIP).

Véase también
 
Este articulo se basa en el articulo Arseniuro_de_galio-aluminio publicado en la enciclopedia libre de Wikipedia. El contenido está disponible bajo los términos de la Licencia de GNU Free Documentation License. Véase también en Wikipedia para obtener una lista de autores.
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