Arseniuro de galio
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General
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Nombre
| Arseniuro de galio
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Otros nombres
| ?
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Fórmula química
| GaAs
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Masa molar
| 144.645 g/mol
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Apariencia
| Cristales cúbicos grises
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Número CAS
| Plantilla:CASREF
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Propiedades
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Densidad y estado
| 5.3176 g/cm³, sólido.
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Solubilidad en agua
| < 0.1 g/100 ml (20°C)
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Punto de fusión
| 1238°C (1511 K)
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Punto de ebullición
| ?°C (? K)
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Propiedades electrónicas
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Ancho de banda prohibida a 300 K
| 1.424 eV
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Masa efectiva del electrón
| 0.067 me
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Masa efectiva Light hole
| 0.082 me
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Masa efectiva Heavy hole
| 0.45 me
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Movilidad del electrón a 300 K
| 9200 cm²/(V·s)
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Movilidad del hueco a 300 K
| 400 cm²/(V·s)
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Estructura
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Estructura cristalina
| Cúbica (Zinc Blenda)
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A no ser que se diga lo contrario, estos datos son para materiales en condiciones normales (a 25°C, 100 kPa)
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El Arseniuro de galio (GaAs) es un compuesto de galio y arsénico. Es un importante semiconductor y se usa para fabricar dispositivos como circuitos integrados a frecuencias de microondas, diodos de emisión infrarroja, diodos láser y células fotovoltaicas.
Véase también
- Electrónica
- Optoelectrónica
- Transistor de efecto de campo (FET)
- Circuito integrado
- Semiconductor
- Célula fotovoltaica
Materiales relacionados
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