Una mirada más aguda al interior de los semiconductores
Un equipo de investigación está desarrollando una técnica de imagen de alta resolución que puede utilizarse para determinar las estructuras internas de los materiales y su composición química de forma no destructiva y con precisión nanométrica
Jens Meyer (University of Jena)
La luz penetra en la muestra y se refleja en las estructuras internas
El procedimiento de obtención de imágenes se basa en la tomografía de coherencia óptica (OCT), establecida en oftalmología desde hace varios años, explica el doctorando Felix Wiesner, autor principal del estudio. "Estos dispositivos se han desarrollado para examinar la retina del ojo de forma no invasiva, capa por capa, para crear imágenes tridimensionales". En el oftalmólogo, la OCT utiliza luz infrarroja para iluminar la retina. La radiación se selecciona de forma que el tejido que se va a examinar no la absorba con demasiada fuerza y pueda ser reflejada por las estructuras internas. Sin embargo, los físicos de Jena utilizan luz ultravioleta de onda extremadamente corta en lugar de luz infrarroja de onda larga para su OCT. "Esto se debe al tamaño de las estructuras que queremos visualizar", dice Felix Wiesner. Para observar materiales semiconductores con estructuras de unos pocos nanómetros, se necesita una luz con una longitud de onda de sólo unos pocos nanómetros.
El efecto óptico no lineal genera una luz UV coherente de onda extremadamente corta
La generación de esta luz ultravioleta de onda extremadamente corta (XUV) solía ser un reto y casi sólo era posible en instalaciones de investigación a gran escala. Los físicos de Jena, sin embargo, generan XUV de banda ancha en un laboratorio ordinario y utilizan para ello lo que se denomina altos armónicos. Se trata de una radiación que se produce por la interacción de la luz láser con un medio y que tiene una frecuencia muchas veces superior a la de la luz original.
Cuanto mayor sea el orden de los armónicos, más corta será la longitud de onda resultante.
"De este modo, generamos luz con una longitud de onda de entre 10 y 80 nanómetros utilizando láseres infrarrojos", explica el profesor Gerhard Paulus, catedrático de Óptica No Lineal de la Universidad de Jena. "Al igual que la luz láser irradiada, la luz XUV de banda ancha resultante también es coherente, lo que significa que tiene propiedades similares a las del láser".
En el trabajo descrito en su artículo actual, los físicos expusieron estructuras de capas nanoscópicas de silicio a la radiación XUV coherente y analizaron la luz reflejada. Las muestras de silicio contenían capas finas de otros metales, como el titanio o la plata, a diferentes profundidades. Como estos materiales tienen propiedades de reflexión diferentes a las del silicio, pueden detectarse en la radiación reflejada. El método es tan preciso que no sólo se puede visualizar la estructura profunda de las diminutas muestras con una precisión nanométrica, sino que -debido al diferente comportamiento de reflexión- también se puede determinar la composición química de las muestras con precisión y, sobre todo, de forma no destructiva. "Esto hace que la tomografía de coherencia sea una aplicación interesante para inspeccionar semiconductores, células solares o componentes ópticos multicapa", afirma Paulus. Podría utilizarse para el control de calidad en el proceso de fabricación de dichos nanomateriales, para detectar defectos internos o impurezas químicas.
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